FDC642P_F085,864-8017,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
FDC642P_F085
库存编号:
864-8017
Fairchild Semiconductor FDC642P_F085
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDC642P_F085产品详细信息

PowerTrench? P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

FDC642P_F085产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.7 x 1mm  
  典型关断延迟时间  23.2 ns  
  典型接通延迟时间  7.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  630 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  6.9 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1.2 W  
  最大连续漏极电流  4 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  105 mΩ  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
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