FDC642P_F085,864-8017,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
FDC642P_F085
库存编号：
864-8017
Fairchild Semiconductor FDC642P_F085
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDC642P_F085产品详细信息

PowerTrench? P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

PowerTrench? MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench? MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。
PowerTrench? MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

FDC642P_F085产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.7 x 1mm  
  典型关断延迟时间  23.2 ns  
  典型接通延迟时间  7.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  630 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  6.9 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1.2 W  
  最大连续漏极电流  4 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  105 mΩ  
  最大栅源电压  ±8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.4V  
关键词         

FDC642P_F085相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  Fairchild Semiconductor 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.7 x 1mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 3 x 1.7 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.7 x 1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.7 x 1mm   典型关断延迟时间 23.2 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 23.2 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.2 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 23.2 ns   典型接通延迟时间 7.3 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 7.3 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.3 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7.3 ns   典型输入电容值@Vds 630 pF @ -10 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 630 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 630 pF @ -10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 630 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 6.9 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 6.9 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.9 nC @ 4.5 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.9 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1mm  Fairchild Semiconductor 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.7mm  Fairchild Semiconductor 宽度 1.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Fairchild Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 6  Fairchild Semiconductor 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.2 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 1.2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.2 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.2 W   最大连续漏极电流 4 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A   最大漏源电压 20 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 105 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 105 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 105 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 105 mΩ   最大栅源电压 ±8 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号