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安装类型	表面贴装
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	18 ns
典型输入电容值@Vds	6600 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	92 nC @ 10 V
封装类型	TO-263AB
高度	4.83mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.65mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	PowerTrench
引脚数目	3
最大功率耗散	310 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	75 V
最大漏源电阻值	0.011 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   典型关断延迟时间 40 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns   典型接通延迟时间 18 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns   典型输入电容值@Vds 6600 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 6600 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6600 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6600 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 92 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 92 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 92 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 92 nC @ 10 V   封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-263AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB   高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  Fairchild Semiconductor 宽度 9.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 9.65mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 310 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 310 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 310 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 310 W   最大连续漏极电流 80 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 75 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 75 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V   最大漏源电阻值 0.011 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 0.011 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.011 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.011 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• FDB045AN08A0, N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.5mOhm