FCH47N60NF,864-7887,Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCH47N60NF, 46 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCH47N60NF, 46 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
FCH47N60NF
库存编号：
864-7887
Fairchild Semiconductor FCH47N60NF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FCH47N60NF产品详细信息

SupreMOS? MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS?。
与 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。

FCH47N60NF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.87mm  
  尺寸  15.87 x 4.82 x 20.82mm  
  典型关断延迟时间  117 ns  
  典型接通延迟时间  34 ns  
  典型输入电容值@Vds  4600 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  121 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.82mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.82mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SupreMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  368 W  
  最大连续漏极电流  46 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  64 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

FCH47N60NF相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.87mm  Fairchild Semiconductor 长度 15.87mm  MOSFET 晶体管 长度 15.87mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 15.87mm   尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm   典型关断延迟时间 117 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 117 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 117 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 117 ns   典型接通延迟时间 34 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 34 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 34 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 34 ns   典型输入电容值@Vds 4600 pF @ 100 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 4600 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4600 pF @ 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4600 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 121 nC @ 10 V   封装类型 TO-247  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 20.82mm  Fairchild Semiconductor 高度 20.82mm  MOSFET 晶体管 高度 20.82mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 20.82mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.82mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.82mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.82mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SupreMOS  Fairchild Semiconductor 系列 SupreMOS  MOSFET 晶体管 系列 SupreMOS  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 SupreMOS   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 368 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 368 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 368 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 368 W   最大连续漏极电流 46 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 46 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 46 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 46 A   最大漏源电压 600 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 64 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 64 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 64 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 64 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号