FCMT199N60,864-7880,Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCMT199N60, 20 A, Vds=600 V, 4引脚 电源 88封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCMT199N60, 20 A, Vds=600 V, 4引脚 电源 88封装

制造商零件编号：
FCMT199N60
库存编号：
864-7880
Fairchild Semiconductor FCMT199N60
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FCMT199N60产品详细信息

SuperFET? 和 SuperFET? II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET? II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。

FCMT199N60产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  8mm  
  尺寸  8 x 8 x 1.05mm  
  典型关断延迟时间  64 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  2043 pF @ 380 V  
  典型栅极电荷@Vgs  57 nC @ 10 V  
  封装类型  电源 88  
  高度  1.05mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  8mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SuperFET II  
  引脚数目  4  
  最大功率耗散  208 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  199 mΩ  
  最大栅源电压  ±20（直流）V，±30（交流）V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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