FCB36N60NTM,864-4803,Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
FCB36N60NTM
库存编号：
864-4803
Fairchild Semiconductor FCB36N60NTM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FCB36N60NTM产品详细信息

SupreMOS? MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS?。
与 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。

FCB36N60NTM产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  94 ns  
  典型接通延迟时间  23 ns  
  典型输入电容值@Vds  3595 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  86 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SupreMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  312 W  
  最大连续漏极电流  36 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  90 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FCB36N60NTM产品技术参数资料

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