FTCO3V455A1,862-9227,Fairchild Semiconductor 六 Si N沟道 MOSFET FTCO3V455A1, 150 A, Vds=40 V, 19引脚 PDIP封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor 六 Si N沟道 MOSFET FTCO3V455A1, 150 A, Vds=40 V, 19引脚 PDIP封装

制造商零件编号:
FTCO3V455A1
库存编号:
862-9227
Fairchild Semiconductor FTCO3V455A1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FTCO3V455A1产品详细信息

3 相 MOSFET 反相器汽车电源模块

40V 150A 3 相 trench MOSFET 反相器桥接
经优化用于 12V 电池系统
包括 1% 精密分流电阻器,用于电流感应
包括 NTC 温度传感器
包括电阻器电容器减震器电路
符合汽车规格

FTCO3V455A1产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  43.8mm  
  尺寸  43.8 x 29.2 x 5.2mm  
  封装类型  PDIP  
  高度  5.2mm  
  晶体管材料  Si  
  宽度  29.2mm  
  类别  Trench MOSFET 反相器  
  每片芯片元件数目  6  
  通道类型  N  
  通道模式  消耗  
  引脚数目  19  
  最大功率耗散  115 W  
  最大连续漏极电流  150 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  1.86 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +120 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

FTCO3V455A1配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

FTCO3V455A1相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 43.8mm  Fairchild Semiconductor 长度 43.8mm  MOSFET 晶体管 长度 43.8mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 43.8mm   尺寸 43.8 x 29.2 x 5.2mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 43.8 x 29.2 x 5.2mm  MOSFET 晶体管 尺寸 43.8 x 29.2 x 5.2mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 43.8 x 29.2 x 5.2mm   封装类型 PDIP  Fairchild Semiconductor 封装类型 PDIP  MOSFET 晶体管 封装类型 PDIP  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 PDIP   高度 5.2mm  Fairchild Semiconductor 高度 5.2mm  MOSFET 晶体管 高度 5.2mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 5.2mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   宽度 29.2mm  Fairchild Semiconductor 宽度 29.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 29.2mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 29.2mm   类别 Trench MOSFET 反相器  Fairchild Semiconductor 类别 Trench MOSFET 反相器  MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET 反相器  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 Trench MOSFET 反相器   每片芯片元件数目 6  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 6  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 6  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 6   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 消耗  Fairchild Semiconductor 通道模式 消耗  MOSFET 晶体管 通道模式 消耗  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 消耗   引脚数目 19  Fairchild Semiconductor 引脚数目 19  MOSFET 晶体管 引脚数目 19  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 19   最大功率耗散 115 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 115 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 115 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 115 W   最大连续漏极电流 150 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 150 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 150 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 150 A   最大漏源电压 40 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 1.86 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 1.86 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.86 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.86 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Fairchild Semiconductor 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -40 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +120 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +120 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +120 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +120 °C   最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FTCO3V455A1产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号