VN2410L-G,861-0670,Microchip Si N沟道 MOSFET VN2410L-G, 190 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-92封装 ,Microchip
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Microchip Si N沟道 MOSFET VN2410L-G, 190 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-92封装

制造商零件编号：
VN2410L-G
库存编号：
861-0670
Microchip VN2410L-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

VN2410L-G产品详细信息

Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管

Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。

VN2410L-G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5.2mm  
  尺寸  5.2 x 4.19 x 5.33mm  
  典型关断延迟时间  23 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  125 pF @ 25 V  
  封装类型  TO-92  
  高度  5.33mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.19mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1 W  
  最大连续漏极电流  190 mA  
  最大漏源电压  240 V  
  最大漏源电阻值  Ω10  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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VN2410L-G产品技术参数资料

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