STFW38N65M5,860-7466,STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装 ,STMicroelectronics
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STFW38N65M5
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW38N65M5, 30 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
制造商零件编号:
STFW38N65M5
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
860-7466
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STFW38N65M5产品详细信息
N 通道 MDmesh?,600V/650V,STMicroelectronics
STFW38N65M5产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.7mm
尺寸
15.7 x 5.7 x 26.7mm
典型输入电容值@Vds
3000 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
71 nC @ 10 V
封装类型
TO-3PF
高度
26.7mm
晶体管配置
单
宽度
5.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
MDmesh
引脚数目
3
最大功率耗散
57 W
最大连续漏极电流
30 A
最大漏源电压
710 V
最大漏源电阻值
95 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±25 V
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
3V
关键词
STFW38N65M5相关搜索
安装类型 通孔
STMicroelectronics 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.7mm
STMicroelectronics 长度 15.7mm
MOSFET 晶体管 长度 15.7mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 15.7mm
尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm
STMicroelectronics 尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm
MOSFET 晶体管 尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm
典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 100 V
STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 100 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 71 nC @ 10 V
STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 71 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 71 nC @ 10 V
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 71 nC @ 10 V
封装类型 TO-3PF
STMicroelectronics 封装类型 TO-3PF
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PF
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PF
高度 26.7mm
STMicroelectronics 高度 26.7mm
MOSFET 晶体管 高度 26.7mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 26.7mm
晶体管配置 单
STMicroelectronics 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.7mm
STMicroelectronics 宽度 5.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.7mm
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 5.7mm
类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
STMicroelectronics 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 MDmesh
STMicroelectronics 系列 MDmesh
MOSFET 晶体管 系列 MDmesh
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 MDmesh
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 57 W
STMicroelectronics 最大功率耗散 57 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 57 W
STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 57 W
最大连续漏极电流 30 A
STMicroelectronics 最大连续漏极电流 30 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A
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最大漏源电压 710 V
STMicroelectronics 最大漏源电压 710 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 710 V
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最大漏源电阻值 95 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 95 mΩ
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最大栅阈值电压 5V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V
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最大栅源电压 ±25 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V
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最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 3V
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STFW38N65M5产品技术参数资料
STF38N65M5, STFW38N65M5, N-Channel 650V, 0.073 Ohm typ., 30A MDmesh V Power MOSFETs in TO-220FP and TO-3PF packages
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