IPA65R660CFD,857-8633,Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Infineon
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IPA65R660CFD
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R660CFD, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号:
IPA65R660CFD
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
857-8633
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPA65R660CFD产品详细信息
Infineon CoolMOS? CFD 功率 MOSFET
IPA65R660CFD产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.65mm
尺寸
10.65 x 4.85 x 16.15mm
典型关断延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
9 ns
典型输入电容值@Vds
615 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
22 nC @ 10 V
封装类型
TO-220FP
高度
16.15mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.85mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
CoolMOS CFD
引脚数目
3
最大功率耗散
27.8 W
最大连续漏极电流
6 A
最大漏源电压
700 V
最大漏源电阻值
660 mΩ
最大栅阈值电压
4.5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
3.5V
关键词
IPA65R660CFD相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.65mm
Infineon 长度 10.65mm
MOSFET 晶体管 长度 10.65mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.65mm
尺寸 10.65 x 4.85 x 16.15mm
Infineon 尺寸 10.65 x 4.85 x 16.15mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.85 x 16.15mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.85 x 16.15mm
典型关断延迟时间 40 ns
Infineon 典型关断延迟时间 40 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 9 ns
Infineon 典型接通延迟时间 9 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns
典型输入电容值@Vds 615 pF @ 100 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 615 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 615 pF @ 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 615 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V
封装类型 TO-220FP
Infineon 封装类型 TO-220FP
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
高度 16.15mm
Infineon 高度 16.15mm
MOSFET 晶体管 高度 16.15mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 16.15mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.85mm
Infineon 宽度 4.85mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 CoolMOS CFD
Infineon 系列 CoolMOS CFD
MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CFD
Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CFD
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 27.8 W
Infineon 最大功率耗散 27.8 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 27.8 W
Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 27.8 W
最大连续漏极电流 6 A
Infineon 最大连续漏极电流 6 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A
Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A
最大漏源电压 700 V
Infineon 最大漏源电压 700 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 700 V
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最大漏源电阻值 660 mΩ
Infineon 最大漏源电阻值 660 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 660 mΩ
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最大栅阈值电压 4.5V
Infineon 最大栅阈值电压 4.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V
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最大栅源电压 ±30 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 3.5V
Infineon 最小栅阈值电压 3.5V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3.5V
Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3.5V
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IPA65R660CFD产品技术参数资料
IP[x]65R660CFD N-channel MOSFET
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