IPA65R190E6,857-8615,Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190E6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190E6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
IPA65R190E6
库存编号:
857-8615
Infineon IPA65R190E6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPA65R190E6产品详细信息

Infineon CoolMOS?E6/P6 系列功率 MOSFET

Infineon 系列的 CoolMOS?E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。

IPA65R190E6产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.65mm  
  尺寸  10.65 x 4.85 x 16.15mm  
  典型关断延迟时间  112 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  1620 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  73 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  16.15mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.85mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS E6  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  34 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  700 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPA65R190E6产品技术参数资料

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