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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.25 x 0.8mm
典型功率增益	31 dB
典型输入电容值@Vds	1.9 pF @ 5 V
封装类型	SOT-363
高度	0.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.25mm
类别	MOSFET Tetrode
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	200 mW
最大连续漏极电流	25 mA
最大漏源电压	8 V
最大栅源电压	6 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.6V
关键词

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• BG3130 Dual N-ch RF Tetrode MOSFET