BG3130RH6327,857-8475,Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130RH6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装 ,Infineon
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Infineon N沟道 Si MOSFET 四极管 BG3130RH6327, 25 mA, Vds=8 V, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号:
BG3130RH6327
库存编号:
857-8475
Infineon BG3130RH6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BG3130RH6327产品详细信息

Infineon 双栅极 MOSFET 四极管

Infineon 双栅极低噪声四极管 MOSFET 射频晶体管

BG3130RH6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 0.8mm  
  典型功率增益  31 dB  
  典型输入电容值@Vds  1.9 pF @ 5 V  
  封装类型  SOT-363  
  高度  0.8mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.25mm  
  类别  MOSFET Tetrode  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  200 mW  
  最大连续漏极电流  25 mA  
  最大漏源电压  8 V  
  最大栅源电压  6 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BG3130RH6327产品技术参数资料

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