IPP80N06S2-H5,857-6980,Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-H5, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-H5, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
IPP80N06S2-H5
库存编号:
857-6980
Infineon IPP80N06S2-H5
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPP80N06S2-H5产品详细信息

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装(无铅)
超低 Rds(on)

IPP80N06S2-H5产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 4.4 x 15.65mm  
  典型关断延迟时间  48 ns  
  典型接通延迟时间  23 ns  
  典型输入电容值@Vds  4400 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  116 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.65mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300 W  
  最大连续漏极电流  80 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  5.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPP80N06S2-H5产品技术参数资料

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