IPP50R520CP,857-6912,Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R520CP, 7.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R520CP, 7.1 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IPP50R520CP
库存编号：
857-6912
Infineon IPP50R520CP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPP50R520CP产品详细信息

Infineon CoolMOS?CP 功率 MOSFET

IPP50R520CP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.57 x 15.95mm  
  典型关断延迟时间  80 ns  
  典型接通延迟时间  35 ns  
  典型输入电容值@Vds  680 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS CP  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  66 W  
  最大连续漏极电流  7.1 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  520 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Infineon 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm   典型关断延迟时间 80 ns  Infineon 典型关断延迟时间 80 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 80 ns   典型接通延迟时间 35 ns  Infineon 典型接通延迟时间 35 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns   典型输入电容值@Vds 680 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 680 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 680 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 680 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.95mm  Infineon 高度 15.95mm  MOSFET 晶体管 高度 15.95mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 15.95mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.57mm  Infineon 宽度 4.57mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS CP  Infineon 系列 CoolMOS CP  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CP  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CP   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 66 W  Infineon 最大功率耗散 66 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 66 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 66 W   最大连续漏极电流 7.1 A  Infineon 最大连续漏极电流 7.1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.1 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.1 A   最大漏源电压 500 V  Infineon 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 520 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 520 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 520 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 520 mΩ   最大栅阈值电压 3.5V  Infineon 最大栅阈值电压 3.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.5V  Infineon 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  
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IPP50R520CP|INFINEONIPP50R520CP
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 TO-220
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IPP50R520CP
INFINEON IPP50R520CP		1664058

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晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 550 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 500 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V

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Infineon Technologies - IPP50R520CPHKSA1 - MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220-3-1

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详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220-3-1

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IPP50R520CP产品技术参数资料

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