IPP120N06S4-H1,857-6886,Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-H1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon

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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-H1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：: IPP120N06S4-H1
制造商：: Infineon Infineon
库存编号：: 857-6886

Infineon

Infineon IPP120N06S4-H1

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPP120N06S4-H1产品详细信息

Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS? -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。

OptiMOS? 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）

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手机网站：m.szcwdz.com

IPP120N06S4-H1产品技术参数资料

OptiMOS? -T2 Power-Transistor

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