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安装类型	通孔
长度	10mm
尺寸	10 x 4.4 x 9.25mm
典型关断延迟时间	15 ns
典型接通延迟时间	8 ns
典型输入电容值@Vds	4400 pF @ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	63 nC @ 10 V
封装类型	TO-262
高度	9.25mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	OptiMOS P
引脚数目	3
最大功率耗散	88 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	12.3 mΩ
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	-16 → +5 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10mm  Infineon 长度 10mm  MOSFET 晶体管 长度 10mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10mm   尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm  Infineon 尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm   典型关断延迟时间 15 ns  Infineon 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 8 ns  Infineon 典型接通延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns   典型输入电容值@Vds 4400 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 4400 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4400 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4400 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V   封装类型 TO-262  Infineon 封装类型 TO-262  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262   高度 9.25mm  Infineon 高度 9.25mm  MOSFET 晶体管 高度 9.25mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.25mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.4mm  Infineon 宽度 4.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.4mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS P  Infineon 系列 OptiMOS P  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 88 W  Infineon 最大功率耗散 88 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 88 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 88 W   最大连续漏极电流 80 A  Infineon 最大连续漏极电流 80 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 80 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 12.3 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 12.3 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12.3 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12.3 mΩ   最大栅阈值电压 2V  Infineon 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 -16 → +5 V  Infineon 最大栅源电压 -16 → +5 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -16 → +5 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -16 → +5 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  Infineon 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• OptiMOS? -P2 Power-Transistor