IPI70N10S3L-12,857-6741,Infineon IPI70N10S3L-12 , N沟道 MOSFET, 70 A, Vds=100 V, 3针 TO-262封装 ,Infineon
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Infineon IPI70N10S3L-12 , N沟道 MOSFET, 70 A, Vds=100 V, 3针 TO-262封装

制造商零件编号:
IPI70N10S3L-12
库存编号:
857-6741
Infineon IPI70N10S3L-12
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPI70N10S3L-12产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 4.4 x 9.25mm  
  典型关断延迟时间  28 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  4270 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  60 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-262  
  高度  9.25mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  70 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  0.0158 Ω  
  最大栅阈值电压  2.4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPI70N10S3L-12产品技术参数资料

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