IPI60R299CP,857-6704,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装 ,Infineon
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPI60R299CP, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装

制造商零件编号:
IPI60R299CP
库存编号:
857-6704
Infineon IPI60R299CP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPI60R299CP产品详细信息

Infineon CoolMOS?CP 功率 MOSFET

IPI60R299CP产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.52 x 9.45mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1100 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-262  
  高度  9.45mm  
  宽度  4.52mm  
  类别  功率晶体管  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  96 W  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  299 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPI60R299CP产品技术参数资料

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