关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	10.36mm
尺寸	10.36 x 4.52 x 9.45mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	1100 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	22 nC @ 10 V
封装类型	TO-262
高度	9.45mm
宽度	4.52mm
类别	功率晶体管
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	96 W
最大连续漏极电流	11 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	299 mΩ
最大栅阈值电压	3.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2.5V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Infineon 长度 10.36mm  MOSFET 晶体管 长度 10.36mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 4.52 x 9.45mm  Infineon 尺寸 10.36 x 4.52 x 9.45mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.52 x 9.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.52 x 9.45mm   典型关断延迟时间 40 ns  Infineon 典型关断延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Infineon 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 1100 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1100 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1100 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1100 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V   封装类型 TO-262  Infineon 封装类型 TO-262  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-262   高度 9.45mm  Infineon 高度 9.45mm  MOSFET 晶体管 高度 9.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.45mm   宽度 4.52mm  Infineon 宽度 4.52mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.52mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.52mm   类别 功率晶体管  Infineon 类别 功率晶体管  MOSFET 晶体管 类别 功率晶体管  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率晶体管   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 96 W  Infineon 最大功率耗散 96 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 96 W   最大连续漏极电流 11 A  Infineon 最大连续漏极电流 11 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A   最大漏源电压 650 V  Infineon 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 299 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 299 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 299 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 299 mΩ   最大栅阈值电压 3.5V  Infineon 最大栅阈值电压 3.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.5V  Infineon 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  

• CoolMOS? Power Transistor