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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间	42 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	290 pF @ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	9.3 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	8
最大功率耗散	2 W
最大连续漏极电流	2.3 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	400 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Infineon 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Infineon 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 42 ns  Infineon 典型关断延迟时间 42 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Infineon 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 290 pF @ -15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 290 pF @ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 290 pF @ -15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 290 pF @ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 9.3 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 9.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.3 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.3 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  Infineon 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  Infineon 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Infineon 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 4mm  Infineon 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Infineon 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2 W  Infineon 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 2.3 A  Infineon 最大连续漏极电流 2.3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.3 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.3 A   最大漏源电压 20 V  Infineon 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 400 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 400 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 400 mΩ   最大栅阈值电压 3V  Infineon 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±12 V  Infineon 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Infineon 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• IRF7104, HEXFET Power MOSFET