IRF3315STRLPBF,831-2803,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315STRLPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315STRLPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRF3315STRLPBF
库存编号:
831-2803
Infineon IRF3315STRLPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF3315STRLPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF3315STRLPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  49 ns  
  典型接通延迟时间  9.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  1300 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  95 nC  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  94 W  
  最大连续漏极电流  21 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  82 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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IRF3315STRLPBF产品技术参数资料

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