IRF1010EZPBF,831-2783,Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010EZPBF, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1010EZPBF, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号:
IRF1010EZPBF
库存编号:
831-2783
Infineon IRF1010EZPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRF1010EZPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRF1010EZPBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  38 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  2810 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  58 nC  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  140 W  
  最大连续漏极电流  84 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  8.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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