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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 3.1 x 0.75mm
典型关断延迟时间	16 ns，20 ns
典型接通延迟时间	13 ns，22 ns
典型输入电容值@Vds	1552 pF@ 15 V，760 pF@ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	12.3 nC @ 10 V，22.6 nC @ 10 V
封装类型	PowerPAIR
高度	0.75mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	串行
宽度	3.1mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
系列	PowerPAIR
引脚数目	8
最大功率耗散	16.7 W，31 W
最大连续漏极电流	30 A，40 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	7 mΩ，13.7 mΩ
最大栅源电压	-16 V，20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.1mm  Vishay 长度 3.1mm  MOSFET 晶体管 长度 3.1mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 3.1mm   尺寸 3.1 x 3.1 x 0.75mm  Vishay 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.75mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.75mm   典型关断延迟时间 16 ns，20 ns  Vishay 典型关断延迟时间 16 ns，20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns，20 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 16 ns，20 ns   典型接通延迟时间 13 ns，22 ns  Vishay 典型接通延迟时间 13 ns，22 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns，22 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns，22 ns   典型输入电容值@Vds 1552 pF@ 15 V，760 pF@ 15 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 1552 pF@ 15 V，760 pF@ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1552 pF@ 15 V，760 pF@ 15 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1552 pF@ 15 V，760 pF@ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V，22.6 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V，22.6 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V，22.6 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V，22.6 nC @ 10 V   封装类型 PowerPAIR  Vishay 封装类型 PowerPAIR  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAIR  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAIR   高度 0.75mm  Vishay 高度 0.75mm  MOSFET 晶体管 高度 0.75mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 0.75mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 串行  Vishay 晶体管配置 串行  MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 串行   宽度 3.1mm  Vishay 宽度 3.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.1mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 3.1mm   每片芯片元件数目 2  Vishay 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerPAIR  Vishay 系列 PowerPAIR  MOSFET 晶体管 系列 PowerPAIR  Vishay MOSFET 晶体管 系列 PowerPAIR   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 16.7 W，31 W  Vishay 最大功率耗散 16.7 W，31 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 16.7 W，31 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 16.7 W，31 W   最大连续漏极电流 30 A，40 A  Vishay 最大连续漏极电流 30 A，40 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A，40 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A，40 A   最大漏源电压 30 V  Vishay 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 7 mΩ，13.7 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 7 mΩ，13.7 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7 mΩ，13.7 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7 mΩ，13.7 mΩ   最大栅源电压 -16 V，20 V  Vishay 最大栅源电压 -16 V，20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -16 V，20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -16 V，20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Vishay 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  

• SiZ340DT, Dual N-Channel 30V (D-S) MOSFET