IRLR2908TRLPBF,830-3350,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRLPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRLPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRLR2908TRLPBF
库存编号:
830-3350
Infineon IRLR2908TRLPBF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IRLR2908TRLPBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon

Infineon 系列分离式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLR2908TRLPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  36 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  1890 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  22 nC @ 4.5 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  120 W  
  最大连续漏极电流  39 A  
  最大漏源电压  80 V  
  最大漏源电阻值  30 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
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IRLR2908TRLPBF产品技术参数资料

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