STF28NM60ND,829-7101,STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF28NM60ND, 23 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF28NM60ND, 23 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号:
STF28NM60ND
库存编号:
829-7101
STMicroelectronics STF28NM60ND
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

STF28NM60ND产品详细信息

N 通道 FDmesh? 功率 MOSFET,STMicroelectronics

STF28NM60ND产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 16.4mm  
  典型关断延迟时间  92 ns  
  典型接通延迟时间  23.5 ns  
  典型输入电容值@Vds  2090 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  62.5 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  16.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  FDmesh  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  35 W  
  最大连续漏极电流  23 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  150 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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