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安装类型	通孔
长度	10.4mm
尺寸	10.4 x 4.6 x 16.4mm
典型关断延迟时间	92 ns
典型接通延迟时间	23.5 ns
典型输入电容值@Vds	2090 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs	62.5 nC @ 10 V
封装类型	TO-220FP
高度	16.4mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	FDmesh
引脚数目	3
最大功率耗散	35 W
最大连续漏极电流	23 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	150 mΩ
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±25 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3V
关键词

安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.4mm  STMicroelectronics 长度 10.4mm  MOSFET 晶体管 长度 10.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 长度 10.4mm   尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm  STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm   典型关断延迟时间 92 ns  STMicroelectronics 典型关断延迟时间 92 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 92 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 92 ns   典型接通延迟时间 23.5 ns  STMicroelectronics 典型接通延迟时间 23.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 23.5 ns  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 23.5 ns   典型输入电容值@Vds 2090 pF @ 100 V  STMicroelectronics 典型输入电容值@Vds 2090 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2090 pF @ 100 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2090 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 62.5 nC @ 10 V  STMicroelectronics 典型栅极电荷@Vgs 62.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 62.5 nC @ 10 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 62.5 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  STMicroelectronics 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 16.4mm  STMicroelectronics 高度 16.4mm  MOSFET 晶体管 高度 16.4mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 高度 16.4mm   晶体管材料 Si  STMicroelectronics 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  STMicroelectronics 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.6mm  STMicroelectronics 宽度 4.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 宽度 4.6mm   类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  STMicroelectronics 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  STMicroelectronics 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 FDmesh  STMicroelectronics 系列 FDmesh  MOSFET 晶体管 系列 FDmesh  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 系列 FDmesh   引脚数目 3  STMicroelectronics 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 35 W  STMicroelectronics 最大功率耗散 35 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 35 W  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大功率耗散 35 W   最大连续漏极电流 23 A  STMicroelectronics 最大连续漏极电流 23 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 23 A   最大漏源电压 650 V  STMicroelectronics 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 150 mΩ  STMicroelectronics 最大漏源电阻值 150 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 150 mΩ   最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V   最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  STMicroelectronics MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  

• STB28NM60ND, STF28NM60ND, STP28NM60ND, STW28NM60ND, N-Channel 600V, 0.13 Ohm typ., 23A FDmesh II Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Packages