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安装类型	表面贴装
长度	29.08mm
尺寸	29.08 x 5.97 x 5.08mm
封装类型	M246
高度	5.08mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.97mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	5
最大功率耗散	318 W
最大连续漏极电流	24 A
最大漏源电压	80 V
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	-10/+15 V
最高工作温度	+200 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• LET9180, 180W, 32V Wideband LDMOS Transistor