LND150K1-G,829-3415,Microchip N沟道 MOSFET 晶体管 LND150K1-G, 13 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-236AB封装 ,Microchip
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Microchip N沟道 MOSFET 晶体管 LND150K1-G, 13 mA, Vds=500 V, 3引脚 TO-236AB封装

制造商零件编号：
LND150K1-G
库存编号：
829-3415
Microchip LND150K1-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

LND150K1-G产品详细信息

Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管

Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。

特点

高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏

典型应用

常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信

LND150K1-G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.04mm  
  尺寸  3.04 x 1.4 x 1.02mm  
  典型关断延迟时间  100 ns  
  典型接通延迟时间  90 ns  
  典型输入电容值@Vds  7.5 pF @ 25 V  
  封装类型  TO-236AB  
  高度  1.02mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  消耗  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  360 mW  
  最大连续漏极电流  13 mA  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  1 kΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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LND150K1-G相关搜索

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LND150K1-G产品技术参数资料

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