DN2530N3-G,829-3320,Microchip Si N沟道 MOSFET DN2530N3-G, 175 mA, Vds=300 V, 3引脚 TO-92封装 ,Microchip
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Microchip Si N沟道 MOSFET DN2530N3-G, 175 mA, Vds=300 V, 3引脚 TO-92封装

制造商零件编号:
DN2530N3-G
库存编号:
829-3320
Microchip DN2530N3-G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DN2530N3-G产品详细信息

Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管

Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。

特点

高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏

典型应用

常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信

DN2530N3-G产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  5.2mm  
  尺寸  5.2 x 4.19 x 5.33mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  300 pF@ 25 V  
  封装类型  TO-92  
  高度  5.33mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.19mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  消耗  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  740 mW  
  最大连续漏极电流  175 mA  
  最大漏源电压  300 V  
  最大漏源电阻值  12Ω  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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DN2530N3-G产品技术参数资料

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