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安装类型	通孔
长度	5.2mm
尺寸	5.2 x 4.19 x 5.33mm
典型关断延迟时间	15 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	300 pF@ 25 V
封装类型	TO-92
高度	5.33mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.19mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	消耗
引脚数目	3
最大功率耗散	740 mW
最大连续漏极电流	175 mA
最大漏源电压	300 V
最大漏源电阻值	12Ω
最大栅阈值电压	3.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• DN2530, N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs