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安装类型	表面贴装
长度	9.6mm
尺寸	9.6 x 9.5 x 3.6mm
典型功率增益	14 dB
典型输入电容值@Vds	89 pF @ 12.5 V
封装类型	PowerSO
高度	3.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.5mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	10
最大功率耗散	73 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	40 V
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+165 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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