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安装类型	表面贴装
长度	1.08mm
尺寸	1.075 x 0.675 x 0.48mm
典型关断延迟时间	21.9 ns
典型接通延迟时间	4.46 ns
典型输入电容值@Vds	50.54 pF@ -25 V
典型栅极电荷@Vgs	0.58 nC @ 4 V
封装类型	X1-DFN1006
高度	0.48mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	0.675mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	425 mW
最大连续漏极电流	200 mA
最大漏源电压	50 V
最大漏源电阻值	8 Ω
最大栅阈值电压	1.2V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.08mm  DiodesZetex 长度 1.08mm  MOSFET 晶体管 长度 1.08mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 1.08mm   尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm  DiodesZetex 尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm   典型关断延迟时间 21.9 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 21.9 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21.9 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 21.9 ns   典型接通延迟时间 4.46 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.46 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.46 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.46 ns   典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V   封装类型 X1-DFN1006  DiodesZetex 封装类型 X1-DFN1006  MOSFET 晶体管 封装类型 X1-DFN1006  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 X1-DFN1006   高度 0.48mm  DiodesZetex 高度 0.48mm  MOSFET 晶体管 高度 0.48mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.48mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.675mm  DiodesZetex 宽度 0.675mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.675mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 0.675mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  DiodesZetex 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 425 mW  DiodesZetex 最大功率耗散 425 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 425 mW  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 425 mW   最大连续漏极电流 200 mA  DiodesZetex 最大连续漏极电流 200 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA   最大漏源电压 50 V  DiodesZetex 最大漏源电压 50 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V   最大漏源电阻值 8 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 8 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 8 Ω   最大栅阈值电压 1.2V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• DMP56D0UFB P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET