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安装类型	表面贴装
长度	6.55mm
尺寸	6.55 x 3.55 x 1.65mm
典型关断延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	2.3 ns
典型输入电容值@Vds	498 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	11.3 nC @ 10 V
封装类型	SOT-223
高度	1.65mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.55mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3+Tab
最大功率耗散	1.8 W
最大连续漏极电流	15.4 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	35 mΩ
最大栅阈值电压	2V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.55mm  DiodesZetex 长度 6.55mm  MOSFET 晶体管 长度 6.55mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.55mm   尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  DiodesZetex 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm   典型关断延迟时间 10 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns   典型接通延迟时间 2.3 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 2.3 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.3 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.3 ns   典型输入电容值@Vds 498 pF @ 15 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 498 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 498 pF @ 15 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 498 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 11.3 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 11.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11.3 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11.3 nC @ 10 V   封装类型 SOT-223  DiodesZetex 封装类型 SOT-223  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223   高度 1.65mm  DiodesZetex 高度 1.65mm  MOSFET 晶体管 高度 1.65mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.65mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.55mm  DiodesZetex 宽度 3.55mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.55mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.55mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3+Tab  DiodesZetex 引脚数目 3+Tab  MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab   最大功率耗散 1.8 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.8 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.8 W   最大连续漏极电流 15.4 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 15.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15.4 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15.4 A   最大漏源电压 30 V  DiodesZetex 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 35 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 35 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 35 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 35 mΩ   最大栅阈值电压 2V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• DMN3032LE 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET