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安装类型	表面贴装
长度	6.7mm
尺寸	6.7 x 6.2 x 2.39mm
典型关断延迟时间	36 ns
典型接通延迟时间	5.1 ns
典型输入电容值@Vds	1810 pF @ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	37 nC @ 10 V
封装类型	TO-252
高度	2.39mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.2mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	1.6 W
最大连续漏极电流	39 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	14.5 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.7mm  DiodesZetex 长度 6.7mm  MOSFET 晶体管 长度 6.7mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.7mm   尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm  DiodesZetex 尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 6.2 x 2.39mm   典型关断延迟时间 36 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 36 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 36 ns   典型接通延迟时间 5.1 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 5.1 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.1 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.1 ns   典型输入电容值@Vds 1810 pF @ 20 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 1810 pF @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1810 pF @ 20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1810 pF @ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  DiodesZetex 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.39mm  DiodesZetex 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.2mm  DiodesZetex 宽度 6.2mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 6.2mm   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.6 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.6 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.6 W   最大连续漏极电流 39 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 39 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 39 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 39 A   最大漏源电压 40 V  DiodesZetex 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 14.5 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 14.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14.5 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 14.5 mΩ   最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• DMN4010LK3 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET