TK12E60W,S1VX(S,827-6113,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,Toshiba
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
TK12E60W,S1VX(S
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
827-6113
Toshiba TK12E60W,S1VX(S
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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TK12E60W,S1VX(S
库存编号:3977645		 Toshiba America Electronic Components , MOSFET, N, 600V, 11.5A, TO-220676
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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TK12E60W,S1VX(S
库存编号:8276113		 Toshiba America Electronic Components MOSFET, DTMOS4, 600V/12A, TO220, PK25
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库存编号:1687950		 Toshiba America Electronic Components MOSFET N-Ch 600V 11.5A DTMOS TO-220, TU25
50起订		50+
250+
￥28.97
￥26.08
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TK12E60W,S1VX(S
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TK12E60W,S1VX(S产品详细信息

TK12E60W,S1VX(S产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.16mm  
  尺寸  10.16 x 4.45 x 15.1mm  
  典型关断延迟时间  85 ns  
  典型接通延迟时间  45 ns  
  典型输入电容值@Vds  890 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  25 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  110 W  
  最大连续漏极电流  11.5 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  300 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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安装类型 通孔  Toshiba 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.16mm  Toshiba 长度 10.16mm  MOSFET 晶体管 长度 10.16mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 10.16mm   尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm  Toshiba 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm   典型关断延迟时间 85 ns  Toshiba 典型关断延迟时间 85 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns   典型接通延迟时间 45 ns  Toshiba 典型接通延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 45 ns   典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V  Toshiba 典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V   典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Toshiba 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.1mm  Toshiba 高度 15.1mm  MOSFET 晶体管 高度 15.1mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 15.1mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.45mm  Toshiba 宽度 4.45mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.45mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 4.45mm   类别 功率 MOSFET  Toshiba 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Toshiba 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 TK  Toshiba 系列 TK  MOSFET 晶体管 系列 TK  Toshiba MOSFET 晶体管 系列 TK   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 110 W  Toshiba 最大功率耗散 110 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 110 W   最大连续漏极电流 11.5 A  Toshiba 最大连续漏极电流 11.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.5 A  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.5 A   最大漏源电压 600 V  Toshiba 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 300 mΩ  Toshiba 最大漏源电阻值 300 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 300 mΩ   最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba 最大栅阈值电压 3.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V   最大栅源电压 ±30 V  Toshiba 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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Toshiba - TK12E60W,S1VX(S - Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
TK12E60W,S1VX(S
品牌：
Toshiba
库存编号：
799-5012
搜索

Toshiba - TK12E60W,S1VX(S - Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
TK12E60W,S1VX(S
品牌：
Toshiba
库存编号：
827-6113
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Toshiba - TK12E60W,S1VX(S - Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
制造商零件编号：
TK12E60W,S1VX(S
品牌：
Toshiba
库存编号：
891-2888
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

TK12E60W,S1VX(S产品技术参数资料

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