TK100L60W,VQ(O,827-6104,Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK100L60W,VQ(O, 100 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PL封装 ,Toshiba
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK100L60W,VQ(O, 100 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PL封装

制造商零件编号:
TK100L60W,VQ(O
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
827-6104
Toshiba TK100L60W,VQ(O
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

TK100L60W,VQ(O产品详细信息

TK100L60W,VQ(O产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  20mm  
  尺寸  20 x 5 x 26mm  
  典型关断延迟时间  690 ns  
  典型接通延迟时间  230 ns  
  典型输入电容值@Vds  15000 pF @ 300 V  
  典型栅极电荷@Vgs  360 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-3PL  
  高度  26mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TK  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  797 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  18 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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TK100L60W,VQ(O产品技术参数资料

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