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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.3 x 1mm
典型关断延迟时间	11 ns
典型接通延迟时间	2.9 ns
典型输入电容值@Vds	51 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	2.1 nC @ 7 V
封装类型	SOT-23
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.3mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SIPMOS
引脚数目	3
最大功率耗散	360 mW
最大连续漏极电流	90 mA
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	12Ω
最大栅阈值电压	1.8V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2.9V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  MOSFET 晶体管 长度 2.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm   典型关断延迟时间 11 ns  Infineon 典型关断延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 11 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 11 ns   典型接通延迟时间 2.9 ns  Infineon 典型接通延迟时间 2.9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.9 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.9 ns   典型输入电容值@Vds 51 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 51 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 51 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 51 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 2.1 nC @ 7 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 2.1 nC @ 7 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2.1 nC @ 7 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2.1 nC @ 7 V   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1mm  Infineon 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm   类别 小信号  Infineon 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Infineon MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SIPMOS  Infineon 系列 SIPMOS  MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 360 mW  Infineon 最大功率耗散 360 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 360 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 360 mW   最大连续漏极电流 90 mA  Infineon 最大连续漏极电流 90 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 90 mA  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 90 mA   最大漏源电压 100 V  Infineon 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 12Ω  Infineon 最大漏源电阻值 12Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12Ω   最大栅阈值电压 1.8V  Infineon 最大栅阈值电压 1.8V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.8V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.8V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.9V  Infineon 最小栅阈值电压 2.9V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.9V  

• BSS169, SIPMOS Small-Signal-Transistor