IPD50R950CE,827-5057,Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPD50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPD50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
IPD50R950CE
库存编号:
827-5057
Infineon IPD50R950CE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPD50R950CE产品详细信息

Infineon CoolMOS? CE 功率 MOSFET

IPD50R950CE产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.41mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  231 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10.5 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.41mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS CE  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  34 W  
  最大连续漏极电流  4.3 A  
  最大漏源电压  550 V  
  最大漏源电阻值  950 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPD50R950CE产品技术参数资料

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