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安装类型	表面贴装
长度	1mm
尺寸	1 x 0.6 x 0.35mm
典型关断延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	4.5 ns
典型输入电容值@Vds	236 pF @ -6 V
典型栅极电荷@Vgs	1.14 nC @ 4.5 V
封装类型	PICOSTAR
高度	0.35mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	0.6mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	FemtoFET
引脚数目	3
最大功率耗散	500 mW
最大连续漏极电流	2.3 A
最大漏源电压	12 V
最大漏源电阻值	970 mΩ
最大栅阈值电压	1.2V
最大栅源电压	-8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.7V
关键词

安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1mm  Texas Instruments 长度 1mm  MOSFET 晶体管 长度 1mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 1mm   尺寸 1 x 0.6 x 0.35mm  Texas Instruments 尺寸 1 x 0.6 x 0.35mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1 x 0.6 x 0.35mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 1 x 0.6 x 0.35mm   典型关断延迟时间 18 ns  Texas Instruments 典型关断延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18 ns   典型接通延迟时间 4.5 ns  Texas Instruments 典型接通延迟时间 4.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns   典型输入电容值@Vds 236 pF @ -6 V  Texas Instruments 典型输入电容值@Vds 236 pF @ -6 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 236 pF @ -6 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 236 pF @ -6 V   典型栅极电荷@Vgs 1.14 nC @ 4.5 V  Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 1.14 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.14 nC @ 4.5 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1.14 nC @ 4.5 V   封装类型 PICOSTAR  Texas Instruments 封装类型 PICOSTAR  MOSFET 晶体管 封装类型 PICOSTAR  Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 PICOSTAR   高度 0.35mm  Texas Instruments 高度 0.35mm  MOSFET 晶体管 高度 0.35mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 高度 0.35mm   晶体管材料 Si  Texas Instruments 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Texas Instruments 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.6mm  Texas Instruments 宽度 0.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.6mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 宽度 0.6mm   每片芯片元件数目 1  Texas Instruments 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Texas Instruments MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Texas Instruments 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Texas Instruments 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 FemtoFET  Texas Instruments 系列 FemtoFET  MOSFET 晶体管 系列 FemtoFET  Texas Instruments MOSFET 晶体管 系列 FemtoFET   引脚数目 3  Texas Instruments 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Texas Instruments MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 500 mW  Texas Instruments 最大功率耗散 500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大连续漏极电流 2.3 A  Texas Instruments 最大连续漏极电流 2.3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.3 A  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 2.3 A   最大漏源电压 12 V  Texas Instruments 最大漏源电压 12 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12 V   最大漏源电阻值 970 mΩ  Texas Instruments 最大漏源电阻值 970 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 970 mΩ  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 970 mΩ   最大栅阈值电压 1.2V  Texas Instruments 最大栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.2V   最大栅源电压 -8 V  Texas Instruments 最大栅源电压 -8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -8 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -8 V   最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.7V  Texas Instruments 最小栅阈值电压 0.7V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.7V