CSD19506KCS,827-4903,Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装 ,Texas Instruments
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
>
CSD19506KCS
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
CSD19506KCS
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
库存编号:
827-4903
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
CSD19506KCS产品详细信息
N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments
CSD19506KCS产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.67mm
尺寸
10.67 x 4.7 x 16.51mm
典型关断延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
19 ns
典型输入电容值@Vds
9380 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs
120 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
16.51mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
NexFET
引脚数目
3
最大功率耗散
375 W
最大连续漏极电流
273 A
最大漏源电压
80 V
最大漏源电阻值
2.8 mΩ
最大栅阈值电压
3.2V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
2.1V
关键词
CSD19506KCS相关搜索
安装类型 通孔
Texas Instruments 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.67mm
Texas Instruments 长度 10.67mm
MOSFET 晶体管 长度 10.67mm
Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 10.67mm
尺寸 10.67 x 4.7 x 16.51mm
Texas Instruments 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.51mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.51mm
Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.7 x 16.51mm
典型关断延迟时间 30 ns
Texas Instruments 典型关断延迟时间 30 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns
Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 19 ns
Texas Instruments 典型接通延迟时间 19 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns
Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 19 ns
典型输入电容值@Vds 9380 pF @ 40 V
Texas Instruments 典型输入电容值@Vds 9380 pF @ 40 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 9380 pF @ 40 V
Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 9380 pF @ 40 V
典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V
Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V
Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
Texas Instruments 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 16.51mm
Texas Instruments 高度 16.51mm
MOSFET 晶体管 高度 16.51mm
Texas Instruments MOSFET 晶体管 高度 16.51mm
晶体管材料 Si
Texas Instruments 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Texas Instruments 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.7mm
Texas Instruments 宽度 4.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm
Texas Instruments MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm
类别 功率 MOSFET
Texas Instruments 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Texas Instruments MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Texas Instruments 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Texas Instruments MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Texas Instruments 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Texas Instruments 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 NexFET
Texas Instruments 系列 NexFET
MOSFET 晶体管 系列 NexFET
Texas Instruments MOSFET 晶体管 系列 NexFET
引脚数目 3
Texas Instruments 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Texas Instruments MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 375 W
Texas Instruments 最大功率耗散 375 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W
最大连续漏极电流 273 A
Texas Instruments 最大连续漏极电流 273 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 273 A
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 273 A
最大漏源电压 80 V
Texas Instruments 最大漏源电压 80 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电压 80 V
最大漏源电阻值 2.8 mΩ
Texas Instruments 最大漏源电阻值 2.8 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.8 mΩ
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.8 mΩ
最大栅阈值电压 3.2V
Texas Instruments 最大栅阈值电压 3.2V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.2V
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.2V
最大栅源电压 ±20 V
Texas Instruments 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Texas Instruments 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Texas Instruments 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 2.1V
Texas Instruments 最小栅阈值电压 2.1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V
Texas Instruments MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号