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安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.7 x 16.51mm
典型关断延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	5.7 ns
典型输入电容值@Vds	2420 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs	14 nC @ 4.5 V
封装类型	TO-220
高度	16.51mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	NexFET
引脚数目	3
最大功率耗散	192 W
最大连续漏极电流	118 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	9 mΩ
最大栅阈值电压	2.3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.5V
关键词

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