CSD17301Q5A,827-4818,Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装 ,Texas Instruments
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装

制造商零件编号：
CSD17301Q5A
库存编号：
827-4818
Texas Instruments CSD17301Q5A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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CSD17301Q5A
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CSD17301Q5A
库存编号:296-25795-2-ND		 Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON10000
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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CSD17301Q5A
库存编号:595-CSD17301Q5A		 Texas Instruments MOSFETs 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET1265
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CSD17301Q5A
库存编号:62985136		 Texas Instruments Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R0
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CSD17301Q5A产品详细信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

CSD17301Q5A产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.8mm  
  尺寸  5.8 x 5 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  28 ns  
  典型接通延迟时间  10.7 ns  
  典型输入电容值@Vds  2660 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  19 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  NexFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  3.2 瓦  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  3.7 mΩ  
  最大栅阈值电压  1.55V  
  最大栅源电压  +10/-8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.9V  
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安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.8mm  Texas Instruments 长度 5.8mm  MOSFET 晶体管 长度 5.8mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 5.8mm   尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm  Texas Instruments 尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 5.8 x 5 x 1.1mm   典型关断延迟时间 28 ns  Texas Instruments 典型关断延迟时间 28 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 28 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 28 ns   典型接通延迟时间 10.7 ns  Texas Instruments 典型接通延迟时间 10.7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.7 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.7 ns   典型输入电容值@Vds 2660 pF @ 15 V  Texas Instruments 典型输入电容值@Vds 2660 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2660 pF @ 15 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2660 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 4.5 V  Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 4.5 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 4.5 V   封装类型 SON  Texas Instruments 封装类型 SON  MOSFET 晶体管 封装类型 SON  Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 SON   高度 1.1mm  Texas Instruments 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Texas Instruments 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Texas Instruments 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5mm  Texas Instruments 宽度 5mm  MOSFET 晶体管 宽度 5mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 宽度 5mm   类别 功率 MOSFET  Texas Instruments 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Texas Instruments MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Texas Instruments 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Texas Instruments MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Texas Instruments 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Texas Instruments 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 NexFET  Texas Instruments 系列 NexFET  MOSFET 晶体管 系列 NexFET  Texas Instruments MOSFET 晶体管 系列 NexFET   引脚数目 8  Texas Instruments 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Texas Instruments MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 3.2 瓦  Texas Instruments 最大功率耗散 3.2 瓦  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.2 瓦  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.2 瓦   最大连续漏极电流 100 A  Texas Instruments 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 30 V  Texas Instruments 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 3.7 mΩ  Texas Instruments 最大漏源电阻值 3.7 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.7 mΩ  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.7 mΩ   最大栅阈值电压 1.55V  Texas Instruments 最大栅阈值电压 1.55V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.55V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.55V   最大栅源电压 +10/-8 V  Texas Instruments 最大栅源电压 +10/-8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 +10/-8 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅源电压 +10/-8 V   最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.9V  Texas Instruments 最小栅阈值电压 0.9V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.9V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.9V  
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CSD17301Q5A
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MOSFET N-CH 30V 28A 8SON

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MOSFET N-CH 30V 28A 8SON

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MOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD17301Q5A)

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD17301Q5A)

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SON EP T/R - Tape and Reel (Alt: CSD17301Q5A)

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin VSONP EP T/R

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Texas Instruments - CSD17301Q5A - MOSFET N-CH 30V 28A 8SON		Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）

型号：CSD17301Q5A
仓库库存编号：296-25795-1-ND
别名：296-25795-1 <br>

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Texas Instruments - CSD17301Q5A - Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17301Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
制造商零件编号：
CSD17301Q5A
品牌：
Texas Instruments
库存编号：
827-4818
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CSD17301Q5A|Texas InstrumentsCSD17301Q5A
Texas Instruments		MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
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CSD17301Q5A|Texas InstrumentsCSD17301Q5A
Texas Instruments		MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
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无图CSD17301Q5A-BKN
TI		QFN 5X6 SINGLE N, 30V,2.3M,17.5NC
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CSD17301Q5A|Texas InstrumentsCSD17301Q5A
Texas Instruments		MOSFET N-CH 30V 28A 8SON
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