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安装类型	表面贴装
长度	6.1mm
尺寸	6.1 x 5.1 x 1.05mm
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	16.6 ns
典型输入电容值@Vds	3150 pF @ 12.5 V
典型栅极电荷@Vgs	21 nC @ 4.5 V
封装类型	SON
高度	1.05mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	NexFET
引脚数目	8
最大功率耗散	3.1 W
最大连续漏极电流	100 A
最大漏源电压	25 V
最大漏源电阻值	2.3 mΩ
最大栅阈值电压	1.9V
最大栅源电压	-12 → 16 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.2V
关键词

安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Texas Instruments MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.1mm  Texas Instruments 长度 6.1mm  MOSFET 晶体管 长度 6.1mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 长度 6.1mm   尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm  Texas Instruments 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm   典型关断延迟时间 20 ns  Texas Instruments 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 16.6 ns  Texas Instruments 典型接通延迟时间 16.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16.6 ns  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 16.6 ns   典型输入电容值@Vds 3150 pF @ 12.5 V  Texas Instruments 典型输入电容值@Vds 3150 pF @ 12.5 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3150 pF @ 12.5 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3150 pF @ 12.5 V   典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V  Texas Instruments 典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V   封装类型 SON  Texas Instruments 封装类型 SON  MOSFET 晶体管 封装类型 SON  Texas Instruments MOSFET 晶体管 封装类型 SON   高度 1.05mm  Texas Instruments 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管材料 Si  Texas Instruments 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Texas Instruments 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Texas Instruments MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.1mm  Texas Instruments 宽度 5.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.1mm  Texas Instruments MOSFET 晶体管 宽度 5.1mm   类别 功率 MOSFET  Texas Instruments 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Texas Instruments MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Texas Instruments 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Texas Instruments MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Texas Instruments 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Texas Instruments 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Texas Instruments MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 NexFET  Texas Instruments 系列 NexFET  MOSFET 晶体管 系列 NexFET  Texas Instruments MOSFET 晶体管 系列 NexFET   引脚数目 8  Texas Instruments 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Texas Instruments MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 3.1 W  Texas Instruments 最大功率耗散 3.1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.1 W  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大功率耗散 3.1 W   最大连续漏极电流 100 A  Texas Instruments 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 25 V  Texas Instruments 最大漏源电压 25 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电压 25 V   最大漏源电阻值 2.3 mΩ  Texas Instruments 最大漏源电阻值 2.3 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.3 mΩ  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.3 mΩ   最大栅阈值电压 1.9V  Texas Instruments 最大栅阈值电压 1.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.9V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.9V   最大栅源电压 -12 → 16 V  Texas Instruments 最大栅源电压 -12 → 16 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -12 → 16 V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -12 → 16 V   最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.2V  Texas Instruments 最小栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  Texas Instruments MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V