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安装类型	通孔
长度	16.13mm
尺寸	16.13 x 5.2 x 21.1mm
典型关断延迟时间	45 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	1900 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	110 nC @ 10 V
封装类型	TO-247AC
高度	21.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.2mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	HEXFET
引脚数目	3
最大功率耗散	160 W
最大连续漏极电流	42 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	36 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• IRFP150MPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet