IRFI4229PBF,827-3975,Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Infineon
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装

制造商零件编号：
IRFI4229PBF
库存编号：
827-3975
Infineon IRFI4229PBF
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IRFI4229PBF
库存编号:IRFI4229PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB411
1起订		1+
50+
100+
￥57.06
￥29.51
￥26.84
6-10天购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEmUE49SVJGSTQyMjlQQkYtTkQ="],"cvcModel":["IRFI4229PBF"],"cvcBrand":[" Infineon Technologies AG "],"cvcNumberAll":["1,50,100,"],"cvcPriceAll":["57.06,29.51,26.84,"],"maxnum":["411"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],"haveiscanbuy":["yes"],

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  日本2号仓库+5    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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IRFI4229PBF
库存编号:85996675		Infineon Technologies AGIRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com7870
169起订		169+
500+
1000+
￥29.85
￥28.51
￥27
1-2周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEzJlBOPTg1OTk2Njc1"],"cvcModel":["IRFI4229PBF"],"cvcBrand":["Infineon Technologies AG"],"cvcNumberAll":["169,500,1000,"],"cvcPriceAll":["29.85,28.51,27,"],"maxnum":["7870"],"minnum":["169"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],
IRFI4229PBF
库存编号:54223494		Infineon Technologies AGIRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com3830
4起订		4+
50+
100+
￥34.82
￥25.27
￥23.79
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,"cvcgetWeb":["c3JjPTEzJlBOPTU0MjIzNDk0"],"cvcModel":["IRFI4229PBF"],"cvcBrand":["Infineon Technologies AG"],"cvcNumberAll":["4,50,100,"],"cvcPriceAll":["34.82,25.27,23.79,"],"maxnum":["3830"],"minnum":["4"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],
IRFI4229PBF
库存编号:85991539		Infineon Technologies AGIRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com2992
169起订		169+
500+
1000+
￥29.85
￥28.51
￥27
1-2周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTEzJlBOPTg1OTkxNTM5"],"cvcModel":["IRFI4229PBF"],"cvcBrand":["Infineon Technologies AG"],"cvcNumberAll":["169,500,1000,"],"cvcPriceAll":["29.85,28.51,27,"],"maxnum":["2992"],"minnum":["169"],"mytime":["1-2周"],"haveiscanbuy":["yes"],
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IRFI4229PBF
库存编号:2781128		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 250V, 19A, TO-220FP0
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥46.31
￥36.78
￥31.4
￥27.25
￥25.78
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRFI4229PBF
库存编号:IRFI4229PBF		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 250V, 19A, 46W, TO220FP0
1起订		1+
3+
10+
50+
￥43.03
￥39.31
￥31.59
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IRFI4229PBF International Rectifier  
575
1起订		1+
254+
569+
￥117
￥64.35
￥58.5
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,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["IRFI4229PBF"],"cvcBrand":[" International Rectifier "],"cvcNumberAll":["1,254,569,"],"cvcPriceAll":["117,64.35,58.5,"],"maxnum":["575"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

IRFI4229PBF产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRFI4229PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.63mm  
  尺寸  10.63 x 4.83 x 16.12mm  
  典型关断延迟时间  32 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  4480 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  73 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220FP  
  高度  16.12mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  HEXFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  46 W  
  最大连续漏极电流  19 A  
  最大漏源电压  250 V  
  最大漏源电阻值  46 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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IRFI4229PBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.63mm  Infineon 长度 10.63mm  MOSFET 晶体管 长度 10.63mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.63mm   尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  Infineon 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.63 x 4.83 x 16.12mm   典型关断延迟时间 32 ns  Infineon 典型关断延迟时间 32 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 32 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 32 ns   典型接通延迟时间 18 ns  Infineon 典型接通延迟时间 18 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 18 ns   典型输入电容值@Vds 4480 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 4480 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4480 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4480 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 73 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 73 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 73 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 73 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  Infineon 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 16.12mm  Infineon 高度 16.12mm  MOSFET 晶体管 高度 16.12mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 16.12mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 HEXFET  Infineon 系列 HEXFET  MOSFET 晶体管 系列 HEXFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 HEXFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 46 W  Infineon 最大功率耗散 46 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 46 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 46 W   最大连续漏极电流 19 A  Infineon 最大连续漏极电流 19 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19 A   最大漏源电压 250 V  Infineon 最大漏源电压 250 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V   最大漏源电阻值 46 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 46 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 46 mΩ   最大栅阈值电压 5V  Infineon 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Infineon 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
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MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP

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, MOSFET, N, 250V, 19A, TO-220FP

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Infineon - IRFI4229PBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
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Infineon
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IRFI4229PBF产品技术参数资料

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