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安装类型	表面贴装
长度	3.35mm
尺寸	3.35 x 3.35 x 0.85mm
典型关断延迟时间	31 ns
典型接通延迟时间	4.5 ns
典型输入电容值@Vds	2075 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	37 nC @ 10 V
封装类型	POWERDI3333
高度	0.85mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.35mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	26 W
最大连续漏极电流	30 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	10.5 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.35mm  DiodesZetex 长度 3.35mm  MOSFET 晶体管 长度 3.35mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3.35mm   尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm  DiodesZetex 尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm   典型关断延迟时间 31 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 31 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 31 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 31 ns   典型接通延迟时间 4.5 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.5 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.5 ns   典型输入电容值@Vds 2075 pF @ 15 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 2075 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2075 pF @ 15 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2075 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V   封装类型 POWERDI3333  DiodesZetex 封装类型 POWERDI3333  MOSFET 晶体管 封装类型 POWERDI3333  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 POWERDI3333   高度 0.85mm  DiodesZetex 高度 0.85mm  MOSFET 晶体管 高度 0.85mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.85mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.35mm  DiodesZetex 宽度 3.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.35mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.35mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  DiodesZetex 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 26 W  DiodesZetex 最大功率耗散 26 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 26 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 26 W   最大连续漏极电流 30 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 30 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A   最大漏源电压 30 V  DiodesZetex 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 10.5 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 10.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10.5 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10.5 mΩ   最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI