DMN2400UV-13,827-0478,DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2400UV-13, 1.33 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装 ,DiodesZetex
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DMN2400UV-13
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2400UV-13, 1.33 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
制造商零件编号:
DMN2400UV-13
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
827-0478
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DMN2400UV-13产品详细信息
双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.
DMN2400UV-13产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
1.7mm
尺寸
1.7 x 1.25 x 0.6mm
典型关断延迟时间
13.74 ns
典型接通延迟时间
4.06 ns
典型输入电容值@Vds
36 pF @ 16 V
典型栅极电荷@Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
封装类型
SOT-563
高度
0.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
隔离式
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
530 mW
最大连续漏极电流
1.33 A
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
1.5 Ω
最大栅阈值电压
0.9V
最大栅源电压
±12 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
DMN2400UV-13相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 1.7mm
DiodesZetex 长度 1.7mm
MOSFET 晶体管 长度 1.7mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 1.7mm
尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm
DiodesZetex 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm
典型关断延迟时间 13.74 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 13.74 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13.74 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13.74 ns
典型接通延迟时间 4.06 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 4.06 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.06 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4.06 ns
典型输入电容值@Vds 36 pF @ 16 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 36 pF @ 16 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 36 pF @ 16 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 36 pF @ 16 V
典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V
封装类型 SOT-563
DiodesZetex 封装类型 SOT-563
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-563
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-563
高度 0.6mm
DiodesZetex 高度 0.6mm
MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 隔离式
DiodesZetex 晶体管配置 隔离式
MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.25mm
DiodesZetex 宽度 1.25mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 2
DiodesZetex 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
DiodesZetex 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
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最大功率耗散 530 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 530 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 530 mW
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最大连续漏极电流 1.33 A
DiodesZetex 最大连续漏极电流 1.33 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.33 A
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最大漏源电压 20 V
DiodesZetex 最大漏源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
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最大漏源电阻值 1.5 Ω
DiodesZetex 最大漏源电阻值 1.5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1.5 Ω
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最大栅阈值电压 0.9V
DiodesZetex 最大栅阈值电压 0.9V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.9V
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最大栅源电压 ±12 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
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最低工作温度 -55 °C
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MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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DMN2400UV-13产品技术参数资料
DMN2400UV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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