BSS670S2LH6327XT,827-0027,Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS670S2LH6327XT, 540 mA, Vds=55 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS670S2LH6327XT, 540 mA, Vds=55 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
BSS670S2LH6327XT
库存编号:
827-0027
Infineon BSS670S2LH6327XT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSS670S2LH6327XT产品详细信息

Infineon OptiMOS? 功率 MOSFET 系列

OptiMOS? 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色封装(无铅)
超低 Rds(on)

BSS670S2LH6327XT产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 1mm  
  典型关断延迟时间  21 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  56 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.7 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  360 mW  
  最大连续漏极电流  540 mA  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  825 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSS670S2LH6327XT产品技术参数资料

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