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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.25 x 0.8mm
典型关断延迟时间	5.5 ns
典型接通延迟时间	3 ns
典型输入电容值@Vds	13 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	0.4 nC @ 10 V
封装类型	SOT-363
高度	0.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.25mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
系列	OptiMOS
引脚数目	6
最大功率耗散	500 mW
最大连续漏极电流	300 mA
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	4 Ω
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.5V
关键词

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• 2N7002DW OptiMOS Small-Signal-Transistor Datasheet