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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.3 x 0.9mm
典型功率增益	27 dB
典型输入电容值@Vds	2.5 pF @ 10 V
封装类型	SOT-23
高度	0.9mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.3mm
类别	MOSFET Tetrode
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	200 mW
最大连续漏极电流	1.4 A
最大漏源电压	30 V
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.8V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  MOSFET 晶体管 长度 2.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm   典型功率增益 27 dB  Infineon 典型功率增益 27 dB  MOSFET 晶体管 典型功率增益 27 dB  Infineon MOSFET 晶体管 典型功率增益 27 dB   典型输入电容值@Vds 2.5 pF @ 10 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 2.5 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2.5 pF @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2.5 pF @ 10 V   封装类型 SOT-23  Infineon 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  MOSFET 晶体管 高度 0.9mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.9mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm   类别 MOSFET Tetrode  Infineon 类别 MOSFET Tetrode  MOSFET 晶体管 类别 MOSFET Tetrode  Infineon MOSFET 晶体管 类别 MOSFET Tetrode   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 200 mW  Infineon 最大功率耗散 200 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大连续漏极电流 1.4 A  Infineon 最大连续漏极电流 1.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.4 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.4 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大栅阈值电压 1.5V  Infineon 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.8V  Infineon 最小栅阈值电压 0.8V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.8V  

• BF999 Silicon N-Channel MOSFET Triode Datasheet