BF999E6327,826-9430,Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BF999E6327, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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Infineon Si N沟道 MOSFET 四极管 BF999E6327, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
BF999E6327
库存编号:
826-9430
Infineon BF999E6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BF999E6327产品详细信息

Infineon 双栅极 MOSFET 四极管

Infineon 双栅极低噪声四极管 MOSFET 射频晶体管

BF999E6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.3 x 0.9mm  
  典型功率增益  27 dB  
  典型输入电容值@Vds  2.5 pF @ 10 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  类别  MOSFET Tetrode  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  200 mW  
  最大连续漏极电流  1.4 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大栅阈值电压  1.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.8V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BF999E6327产品技术参数资料

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