BSS138NH6433XTMA1,826-9285,Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138NH6433XTMA1, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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BSS138NH6433XTMA1
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS138NH6433XTMA1, 230 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
BSS138NH6433XTMA1
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
826-9285
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSS138NH6433XTMA1产品详细信息
Infineon SIPMOS? N 通道 MOSFET
BSS138NH6433XTMA1产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 1mm
典型关断延迟时间
6.7 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
典型输入电容值@Vds
32 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
1 nC @ 10V
封装类型
SOT-23
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.3mm
类别
小信号
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
SIPMOS
引脚数目
3
最大功率耗散
360 mW
最大连续漏极电流
230 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
3.5 Ω
最大栅阈值电压
1.4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
0.6V
关键词
BSS138NH6433XTMA1相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
MOSFET 晶体管 长度 2.9mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
典型关断延迟时间 6.7 ns
Infineon 典型关断延迟时间 6.7 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 6.7 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 6.7 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
Infineon 典型接通延迟时间 2.3 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.3 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.3 ns
典型输入电容值@Vds 32 pF @ 25 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 32 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 32 pF @ 25 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 32 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 10V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 10V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 10V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 10V
封装类型 SOT-23
Infineon 封装类型 SOT-23
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1mm
Infineon 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.3mm
Infineon 宽度 1.3mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm
类别 小信号
Infineon 类别 小信号
MOSFET 晶体管 类别 小信号
Infineon MOSFET 晶体管 类别 小信号
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 SIPMOS
Infineon 系列 SIPMOS
MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS
Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 360 mW
Infineon 最大功率耗散 360 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 360 mW
Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 360 mW
最大连续漏极电流 230 mA
Infineon 最大连续漏极电流 230 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 230 mA
Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 230 mA
最大漏源电压 60 V
Infineon 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 3.5 Ω
Infineon 最大漏源电阻值 3.5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.5 Ω
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最大栅阈值电压 1.4V
Infineon 最大栅阈值电压 1.4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V
Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.4V
最大栅源电压 ±20 V
Infineon 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 0.6V
Infineon 最小栅阈值电压 0.6V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V
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BSS138NH6433XTMA1产品技术参数资料
BSS138N SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet
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