IPB120N06S4-02,826-9226,Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N06S4-02, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N06S4-02, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
IPB120N06S4-02
库存编号：
826-9226
Infineon IPB120N06S4-02
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPB120N06S4-02产品详细信息

Infineon OptiMOS? T2 功率 MOSFET

Infineon 新的 OptiMOS ? -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS? -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS? -T 和 OptiMOS? 系列。

OptiMOS? 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式
AEC 合格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）

IPB120N06S4-02产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 9.25 x 4.4mm  
  典型关断延迟时间  50 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  12120 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  150 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.25mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS T2  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  188 W  
  最大连续漏极电流  120 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  0.0028 Ω  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

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