IPD50P03P4L-11,826-9159,Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L-11, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L-11, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
IPD50P03P4L-11
库存编号：
826-9159
Infineon IPD50P03P4L-11
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IPD50P03P4L-11产品详细信息

Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET

Infineon OptiMOS? P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS? P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

IPD50P03P4L-11产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 6.22 x 2.3mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  2900 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  42 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.3mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS P  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  58 W  
  最大连续漏极电流  50 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  18 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  16 → +5 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.5mm  Infineon 长度 6.5mm  MOSFET 晶体管 长度 6.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm  Infineon 尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 6.22 x 2.3mm   典型关断延迟时间 45 ns  Infineon 典型关断延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns   典型接通延迟时间 7 ns  Infineon 典型接通延迟时间 7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns   典型输入电容值@Vds 2900 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 2900 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2900 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2900 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Infineon 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.3mm  Infineon 高度 2.3mm  MOSFET 晶体管 高度 2.3mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.3mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Infineon 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS P  Infineon 系列 OptiMOS P  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 58 W  Infineon 最大功率耗散 58 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 58 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 58 W   最大连续漏极电流 50 A  Infineon 最大连续漏极电流 50 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 18 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 18 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 18 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 18 mΩ   最大栅阈值电压 2V  Infineon 最大栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2V   最大栅源电压 16 → +5 V  Infineon 最大栅源电压 16 → +5 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 16 → +5 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 16 → +5 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1V  Infineon 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
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型号 制造商 描述 操作
IPD50P03P4L11ATMA1
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MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

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MOSFET P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2

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Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: IPD50P03P4L11ATMA1)

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Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD50P03P4L11ATMA1)

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Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Infineon - IPD50P03P4L-11 - Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L-11, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
IPD50P03P4L-11
品牌：
Infineon
库存编号：
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IPD50P03P4L-11产品技术参数资料

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