IPB120P04P4L-03,826-9092,Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
IPB120P04P4L-03
库存编号：
826-9092
Infineon IPB120P04P4L-03
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPB120P04P4L-03产品详细信息

Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET

Infineon OptiMOS? P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS? P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

IPB120P04P4L-03产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 9.25 x 4.4mm  
  典型关断延迟时间  85 ns  
  典型接通延迟时间  21 ns  
  典型输入电容值@Vds  11380 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  180 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.25mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS P  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  136 W  
  最大连续漏极电流  120 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  0.0052 Ω  
  最大栅阈值电压  2.2V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
关键词         

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