IPB120P04P4L-03,826-9092,Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
IPB120P04P4L-03
库存编号:
826-9092
Infineon IPB120P04P4L-03
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

IPB120P04P4L-03产品详细信息

Infineon OptiMOS?P P 通道功率 MOSFET

Infineon OptiMOS? P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS? P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C

IPB120P04P4L-03产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10mm  
  尺寸  10 x 9.25 x 4.4mm  
  典型关断延迟时间  85 ns  
  典型接通延迟时间  21 ns  
  典型输入电容值@Vds  11380 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  180 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.4mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.25mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS P  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  136 W  
  最大连续漏极电流  120 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  0.0052 Ω  
  最大栅阈值电压  2.2V  
  最大栅源电压  ±16 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
关键词         

IPB120P04P4L-03相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10mm  Infineon 长度 10mm  MOSFET 晶体管 长度 10mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10mm   尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm  Infineon 尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 9.25 x 4.4mm   典型关断延迟时间 85 ns  Infineon 典型关断延迟时间 85 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 85 ns   典型接通延迟时间 21 ns  Infineon 典型接通延迟时间 21 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 21 ns   典型输入电容值@Vds 11380 pF @ -25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 11380 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 11380 pF @ -25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 11380 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V   封装类型 TO-263  Infineon 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.4mm  Infineon 高度 4.4mm  MOSFET 晶体管 高度 4.4mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.4mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.25mm  Infineon 宽度 9.25mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.25mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.25mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS P  Infineon 系列 OptiMOS P  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 136 W  Infineon 最大功率耗散 136 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 136 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 136 W   最大连续漏极电流 120 A  Infineon 最大连续漏极电流 120 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 120 A   最大漏源电压 40 V  Infineon 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 0.0052 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.0052 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0052 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.0052 Ω   最大栅阈值电压 2.2V  Infineon 最大栅阈值电压 2.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.2V   最大栅源电压 ±16 V  Infineon 最大栅源电压 ±16 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±16 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.2V  Infineon 最小栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号